Name: SI7852DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7852DP-T1-E3TR-ND
Price: 2.1777 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7852DP-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI7852DP-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7852DP-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7852DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7852DP-T1-E3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 7,6 A (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7852DP-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	16,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,9W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SI7852