Name: SI7370DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7370DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.046 EUR
Availability: InStock

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SI7370DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7370DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7370DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7370DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7370DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 9,6 A (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7370DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 12A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,9W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,6 A (Ta)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SI7370