Name: SI5403DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5403DC-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI5403DC-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI5403DC-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI5403DC-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI5403DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI5403DC-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 6 A (Tc) 2,5W (Ta), 6,3W (Tc) Oberflächenmontage 1206-8 ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI5403DC-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	30mOhm bei 7,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1340 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 6,3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	1206-8 ChipFET™
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SI5403