Name: SI4848BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4848BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.1186 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4848BDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SI4848BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SI4848BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SI4848BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4848BDY-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 3,7A (Ta), 5A (Tc) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4848BDY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,7A (Ta), 5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	89mOhm bei 3,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	400 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 4,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4848