Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.0587 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4477DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4477DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 26,6 A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,2mOhm bei 18A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4600 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 6,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	SI4477