Name: SI3459BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3459BDV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.714 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI3459BDV-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI3459BDV-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI3459BDV-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI3459BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI3459BDV-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 2,9 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) Oberflächenmontage 6-TSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI3459BDV-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	216mOhm bei 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	350 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 3,3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	SI3459