Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.2499 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI1012CR-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI1012CR-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V SC75A
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Oberflächenmontage SC-75A
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI1012CR-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	630mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	396mOhm bei 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	43 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	240mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SC-75A
Gehäuse / Hülle	SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer	SI1012