Name: IRLL110TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRLL110PBFTR-ND
Price: 1.3566 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLL110TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLL110PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLL110PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLL110PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRLL110TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 1,5 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	540mOhm bei 900mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	250 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IRLL110