IRFD110PBF Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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Parametrisches Äquivalent

Rochester Electronics, LLC

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFD110PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFD110PBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFD110PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFD110PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.3 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 180 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-HVMDIP
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 540mOhm bei 600mA, 10V	Basis-Produktnummer IRFD110