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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRFD110 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRFD110-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFD110 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Durchkontaktierung 4-HVMDIP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFD110 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.3 nC @ 10 V |
Verpackung Lose im Beutel | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 180 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten 4-HVMDIP |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 540mOhm bei 600mA, 10V | Basis-Produktnummer |
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