N-Kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30SPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFBE30SPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFBE30SPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFBE30SPBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm bei 2,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,80000 €3,80 €
501,94280 €97,14 €
1001,76290 €176,29 €
5001,44778 €723,89 €
1.0001,34656 €1.346,56 €
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5.0001,22173 €6.108,65 €
Standardverpackung des Herstellers
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