Name: IRF630STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF630STRLPBFTR-ND
Price: 2.618 EUR
Availability: InStock

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IRF630STRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF630STRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF630STRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF630STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF630STRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 9 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF630STRLPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 800 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 74W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 400mOhm bei 5,4A, 10V	Basis-Produktnummer IRF630

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