Name: IRF530STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF530STRLPBFTR-ND
Price: 2.6656 EUR
Availability: InStock

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IRF530STRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF530STRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF530STRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF530STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRF530STRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 14 A (Tc) 3,7W (Ta), 88W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF530STRLPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 26 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 670 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 88W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 160mOhm bei 8,4A, 10V	Basis-Produktnummer IRF530

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