Name: VS-8EWS08S-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-8EWS08S-M3GI-ND
Price: 1.9873 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VS-8EWS08S-M3
DigiKey-Teilenr.	VS-8EWS08S-M3GI-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-8EWS08S-M3
Beschreibung	DIODE STANDARD 800V 8A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 800 V 8A Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	VS-8EWS08S-M3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.1 V @ 8 A
Geschwindigkeit	Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	50 µA @ 800 V
Kapazität bei Vr, F	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA (DPAK)
Betriebstemperatur - Übergang	-55°C bis 150°C
Basis-Produktnummer	8EWS08

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