TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63 Einzeldioden

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Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
Geschwindigkeit
Umkehrerholungszeit (trr)
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
Kapazität bei Vr, F
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
Betriebstemperatur - Übergang
5.948
Vorrätig
1 : 0,49000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,45849 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
600 V
15A
1.05 V @ 15 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
220 ns
10 µA @ 600 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA (DPAK)
-65°C bis 175°C
DPAK
FERD20H100SB-TR
DIODE FERD 100V 20A DPAK
STMicroelectronics
26.808
Vorrätig
1 : 0,61000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,28560 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Feldeffekt-Gleichrichterdioden (FERD)
100 V
20A
705 mV @ 20 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
140 µA @ 100 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
175°C (max.)
SICRD6650
50WQ06FN
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK
SMC Diode Solutions
43.719
Vorrätig
1 : 0,65000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,15607 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
60 V
5,5A
740 mV @ 10 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
3 mA @ 60 V
130pF bei 5V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-55°C bis 150°C
2DB1184Q-13
SDT30B100D1-13
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO2523
Diodes Incorporated
34.726
Vorrätig
1 : 0,68000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,20632 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
100 V
30A
850 mV @ 30 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
120 µA @ 100 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-3
-55°C bis 175°C
SICRD6650
SBRD10200
DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK
SMC Diode Solutions
26.389
Vorrätig
1 : 0,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,16904 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
200 V
10A
950 mV @ 10 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1 mA @ 200 V
150pF bei 5V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-55°C bis 150°C
NJVMJD32CG
MBRD835LT4G
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
onsemi
44.871
Vorrätig
1 : 0,76000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,28475 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
35 V
8A
510 mV @ 8 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1.4 mA @ 35 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-65°C bis 150°C
DPAK
STPS4S200B-TR
DIODE SCHOTTKY 200V 4A DPAK
STMicroelectronics
2.516
Vorrätig
1 : 0,83000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,23701 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
200 V
4A
870 mV @ 4 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
5 µA @ 200 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
NJVMJD32CG
MBRD1045T4G
DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
onsemi
3.818
Vorrätig
1 : 0,88000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,32342 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Schottky
45 V
10A
840 mV @ 20 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
100 µA @ 45 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-65°C bis 175°C
TO-252-2
SBR10H300D1-13
DIODE SBR 300V 10A TO252 TYPE TH
Diodes Incorporated
7.412
Vorrätig
152.500
Fabrik
1 : 1,01000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,28348 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Super-Barriere
300 V
10A
920 mV @ 10 A
Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)
-
10 µA @ 300 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252 (DPAK) Typ TH
-55°C bis 175°C
1.691
Vorrätig
1 : 1,11000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.000 : 0,44375 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
600 V
15A
1.05 V @ 15 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
120 ns
10 µA @ 600 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA (DPAK)
-65°C bis 175°C
7.121
Vorrätig
1 : 1,56000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,51624 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
1600 V
8A
1.1 V @ 8 A
Standarderholzeit >500ns, > 200mA (Io)
-
50 µA @ 1600 V
-
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA (DPAK)
-40°C bis 150°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM02G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Infineon Technologies
25.623
Vorrätig
1 : 1,97000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,57203 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
2A
1.65 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
18 µA @ 1200 V
182pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C3D04060E-TR
DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Wolfspeed, Inc.
149
Vorrätig
1 : 2,21000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,65886 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
600 V
13,5A
1.8 V @ 4 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
50 µA @ 600 V
251pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
10.773
Vorrätig
1 : 2,40000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D02120E-TR
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
5.295
Vorrätig
1 : 2,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,72409 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
DPAK
STPSC2H12B2Y-TR
DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
STMicroelectronics
11.177
Vorrätig
1 : 2,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,89416 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
5A
1.5 V @ 2 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
-
12 µA @ 1200 V
190pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
DPAK
STPSC10H065B-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
8.085
Vorrätig
1 : 2,75000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,86488 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
-40°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IDM08G120C5XTMA1
DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Infineon Technologies
2.773
Vorrätig
1 : 3,07000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,00469 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
8A
1.95 V @ 8 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
40 µA @ 1200 V
365pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
PG-TO252-2
-55°C bis 175°C
1.268
Vorrätig
1 : 3,33000 €
Stange
-
Stange
Aktiv
Standard
1200 V
8A
1.3 V @ 8 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
270 ns
100 µA @ 1200 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA (DPAK)
-40°C bis 150°C
GE12MPS06E
GD10MPS12E
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Navitas Semiconductor, Inc.
1.800
Vorrätig
1 : 3,78000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,07995 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nur verfügbar bis
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF bei 1V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D05120E
DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522
Wolfspeed, Inc.
6.068
Vorrätig
1 : 4,69000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
19A
1.8 V @ 5 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 1200 V
390pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
TO-252AA
FFSD08120A
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
onsemi
153
Vorrätig
1 : 5,54000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,22431 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
22,5A
1.75 V @ 8 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
200 µA @ 1200 V
538pF bei 1V, 100kHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA
-55°C bis 175°C
TO-252AA
FFSD10120A
DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
onsemi
1.100
Vorrätig
1 : 5,91000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,42193 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
-
1.75 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
200 µA @ 1200 V
612pF bei 1V, 100kHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252AA
-
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
C4D10120E
DIODE SIL CARB 1200V 33A TO2522
Wolfspeed, Inc.
2.639
Vorrätig
1 : 7,89000 €
Stange
Stange
Aktiv
SiC (Silicon Carbide) Schottky
1200 V
33A
1.8 V @ 10 A
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
0 ns
250 µA @ 1200 V
754pF bei 0V, 1MHz
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
TO-252-2
-55°C bis 175°C
DPAK
STTH4R02B-TR
DIODE STANDARD 200V 4A DPAK
STMicroelectronics
14.606
Vorrätig
1 : 0,24000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,19097 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
Standard
200 V
4A
1.05 V @ 4 A
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
30 ns
3 µA @ 200 V
-
-
-
Oberflächenmontage
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
DPAK
175°C (max.)
Angezeigt werden
von 1.487

Typen von Gleichrichterdioden

    Standard-Gleichrichterdioden
  • Standarddioden (Silizium-PN-Übergang) Standarddioden sind die einfachste Art von Gleichrichterdioden aus Silizium mit einem PN-Übergang. Sie werden häufig in AC/DC-Wandlern, bei der Stromgleichrichtung und zum allgemeinen Schaltkreisschutz eingesetzt. Diese Dioden bieten in der Regel einen Durchlassspannungsabfall von etwa 0,7 V und eignen sich am besten für das Schalten mit niedrigen Frequenzen. Ihre Sperrverzögerung (die Zeit, bis sie bei Abschaltung nicht mehr leiten) ist relativ hoch, was ihre Verwendung in Hochgeschwindigkeitsanwendungen einschränkt. Außerdem bieten sie einen geringen Leckstrom in Sperrrichtung, was für Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb sorgt.

  • Schottky-Sperrschichtdioden (Schottky Barrier Diodes, SBD)
    Schottky-Dioden (SBD) verfügen über einen Metall-Halbleiter-Übergang anstelle eines herkömmlichen PN-Übergangs, was höhere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Durchlassspannungsabfälle ermöglicht – oft zwischen 0,2 V und 0,4 V. Dadurch sind sie ideal für DC/DC-Wandler, hocheffiziente Netzteile und Schaltungen, bei denen die Minimierung der Verlustleistung entscheidend ist. Ein Nachteil von SBDs ist jedoch ihr höherer Leckstrom in Sperrrichtung, insbesondere bei höheren Temperaturen, was bei Präzisions- oder batteriebetriebenen Geräten ein Problem darstellen kann.

  • Super-Sperrschichtgleichrichter (Super Barrier Rectifiers, SBR)
    Super-Sperrschichtgleichrichter (SBR) vereinen die besten Eigenschaften von Standarddioden und Schottky-Dioden. Sie bieten einen niedrigen Durchlassspannungsabfall wie SBDs, jedoch bei einem deutlich geringeren Leckstrom in Sperrrichtung und verbesserter Sperrverzögerung. SBRs eignen sich gut für Schaltnetzteile, Adapter und Automobilelektronik, wo Energieeffizienz und thermische Stabilität wichtig sind. Sie stellen häufig die bessere Wahl als Schottky-Dioden dar, wenn die Anwendung höhere Umgebungstemperaturen oder größere Spannungstransienten mit sich bringt.

  • Avalanche-Dioden
    Avalanche-Dioden sind so konstruiert, dass sie eine zuverlässige Funktion bei Rückwärtsdurchbruch bieten, was heißt, dass sie Strom sicher leiten, sobald eine bestimmte Sperrspannungsschwelle überschritten wird. Im Gegensatz zu Standarddioden, die durch einen Durchbruch beschädigt werden können, sind Avalanche-Dioden so gebaut, dass sie diesem Zustand wiederholt und vorhersehbar standhalten.
    • Bei der schnell schaltenden Gleichrichtung werden Avalanche-Dioden manchmal gegenüber Standard-PN-Dioden bevorzugt, da sie ein besseres Sperrverhalten aufweisen, was die Schaltverluste verringert und den Gesamtwirkungsgrad des Wandlers verbessert. Aufgrund ihrer Fähigkeit, hohen Sperrspannungstransienten ohne Beeinträchtigung standzuhalten, eignen sie sich besonders für Snubber-Schaltungen, Sperrwandler und hart geschaltete Topologien.

  • Siliziumkarbid-(SiC)-Dioden
    SiC-Dioden werden aus Siliziumkarbid hergestellt, einem Material mit breiter Bandlücke, womit sie sehr hohe Spannungen (600 V und mehr) und extreme Temperaturen (>150 °C) unterstützen. Sie eignen sich ideal für industrielle Wandler, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und Motorantriebe, besonders in Schaltkreisen, die schnelles Schalten und das sofortige Sperren erfordern. Obwohl sie teurer sind als Dioden auf Siliziumbasis, sind sie aufgrund ihrer Langlebigkeit und Effizienz bei hohen Spannungen und Frequenzen oft die beste langfristige Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.