Name: XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQR8308QBLXHQTR-ND
Price: 5.95 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPQR8308QB,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPQR8308QBLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPQR8308QB,LXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPQR8308QB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPQR8308QB,LXHQ
Beschreibung	80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) Oberflächenmontage L-TOGL™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	350A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,83mOhm bei 175A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 3,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	305 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	24700 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	750W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	L-TOGL™
Gehäuse / Hülle	8-PowerBSFN