Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 3.7366 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPQ1R004PB,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPQ1R004PB,LXHQ
Beschreibung	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 200 A (Ta) 230W (Tc) Oberflächenmontage L-TOGL™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6890 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	L-TOGL™
Gehäuse / Hülle	8-PowerBSFN
Basis-Produktnummer	XPQ1R004