Name: XPN9R614MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPN9R614MCL1XHQTR-ND
Price: 1.5113 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPN9R614MC,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPN9R614MCL1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPN9R614MCL1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPN9R614MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPN9R614MC,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 40 A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPN9R614MC,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	840mW (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSON Advance-WF-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	XPN9R614