Name: XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 2.023 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XPH6R30ANB,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XPH6R30ANB,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 45 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XPH6R30ANB,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	45 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,3mOhm bei 22,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3240 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	XPH6R30