Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 4.9742 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

XK1R9F10QB,LXGQ
DigiKey-Teilenr.	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	XK1R9F10QB,LXGQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 160 A (Ta) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-220SM(W)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	XK1R9F10QB,LXGQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	160 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,92mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11500 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SM(W)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	XK1R9F10