Name: TPN11006PL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN11006PLLQTR-ND
Price: 1.2733 EUR
Availability: InStock

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TPN11006PL,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPN11006PLLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPN11006PLLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPN11006PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN11006PL,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 26 A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 200µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1625 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 610mW (Ta), 61W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPN11006
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,4mOhm bei 13A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)