Name: TPC8129,LQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPC8129,LQ(STR-ND
Price: 0.9758 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPC8129,LQ(S
DigiKey-Teilenr.	264-TPC8129,LQ(STR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPC8129,LQ(SCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPC8129,LQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPC8129,LQ(S
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 9 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPC8129,LQ(S Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1650 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	TPC8129