Name: TK20G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK20G60WRVQTR-ND
Price: 4.5934 EUR
Availability: InStock

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TK20G60W,RVQ
DigiKey-Teilenr.	TK20G60WRVQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK20G60WRVQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK20G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK20G60W,RVQ
Beschreibung	MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 20 A (Ta) 165W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK20G60W,RVQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,7V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1680 pF @ 300 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK20G60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 155mOhm bei 10A, 10V