Name: TK12A60D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12A60D(STA4QM)-ND
Price: 3.689 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK12A60D(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK12A60D(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK12A60D(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 12 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	550mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK12A60

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,10000 €	3,10 €
50	1,56920 €	78,46 €
100	1,42060 €	142,06 €
500	1,16020 €	580,10 €
1.000	1,07656 €	1.076,56 €
2.000	1,05372 €	2.107,44 €

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