Name: TK10A80E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A80ES4X-ND
Price: 3.6771 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK10A80E,S4X
DigiKey-Teilenr.	TK10A80ES4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK10A80E,S4X
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 10 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK10A80E,S4X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVIII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK10A80

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,09000 €	3,09 €
50	1,56140 €	78,07 €
100	1,41350 €	141,35 €
500	1,15416 €	577,08 €
1.000	1,07085 €	1.070,85 €
2.000	1,04724 €	2.094,48 €

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