Name: SSM6K819R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLXHFTR-ND
Price: 1.6184 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6K819R,LXHF
DigiKey-Teilenr.	264-SSM6K819RLXHFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-SSM6K819RLXHFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-SSM6K819RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6K819R,LXHF
Beschreibung	AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10 A (Ta) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 6-TSOP-F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6K819R,LXHF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25,8mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1110 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Ta)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-TSOP-F
Gehäuse / Hülle	6-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SSM6K819