Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 0.6664 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6K514NU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6K514NULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6K514NULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6K514NU,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 12 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFNB (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6K514NU,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,6mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1110 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-UDFNB (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-WDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	SSM6K514