Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 0.7259 EUR
Availability: OutOfStock

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Toshiba Semiconductor and Storage

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SSM6J212FE,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6J212FELFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6J212FELFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6J212FE,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6J212FE,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40,7mOhm bei 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	970 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	ES6
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer	SSM6J212