Name: SSM3K56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K56MFVL3FTR-ND
Price: 0.3808 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K56MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	SSM3K56MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K56MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K56MFV,L3F
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K56MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	800mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	235mOhm bei 800mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	55 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	VESM
Gehäuse / Hülle	SOT-723
Basis-Produktnummer	SSM3K56

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