Name: SSM3K35AFS,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35AFSLFTR-ND
Price: 0.2142 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K35AFS,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3K35AFSLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K35AFSLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K35AFSLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K35AFS,LF
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SSM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K35AFS,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	250mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,2V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,1Ohm bei 150mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.34 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	36 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SSM
Gehäuse / Hülle	SC-75, SOT-416
Basis-Produktnummer	SSM3K35

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