Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.5355 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K357R,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3K357RLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K357RLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K357R,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K357R,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	650mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	3V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,8Ohm bei 150mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	60 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23F
Gehäuse / Hülle	SOT-23-3 flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SSM3K357

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