Name: SSM3K15ACTC,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K15ACTCL3FTR-ND
Price: 0.2618 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K15ACTC,L3F
DigiKey-Teilenr.	SSM3K15ACTCL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K15ACTCL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K15ACTCL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K15ACTC,L3F
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 100mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage CST3C
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K15ACTC,L3F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,6Ohm bei 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 100µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13.5 pF @ 3 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CST3C
Gehäuse / Hülle	SC-101, SOT-883
Basis-Produktnummer	SSM3K15

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