SSM3K121TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3K121TU,LF
DigiKey-Teilenr.	264-SSM3K121TULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K121TU,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage UFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	48mOhm bei 2A, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.9 nC @ 4 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	400 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	UFM
Gehäuse / Hülle	3-SMD, flache Anschlüsse

Fragen und Antworten zum Produkt

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Manufacturer Quote Required

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