Name: SSM3J338R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J338RLFTR-ND
Price: 0.2975 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3J338R,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3J338RLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J338RLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J338RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J338R,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 6 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J338R,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17,6mOhm bei 6A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-23F
Gehäuse / Hülle	SOT-23-3 flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	SSM3J338

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