Name: SSM3J15FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FULFTR-ND
Price: 0.2142 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3J15FU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3J15FULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J15FULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J15FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J15FU,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage USM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J15FU,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12Ohm bei 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,7V bei 100µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9.1 pF @ 3 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	USM
Gehäuse / Hülle	SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer	SSM3J15

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