Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J140TULXHFTR-ND
Price: 0.833 EUR
Availability: OutOfStock

SSM3J140TU,LXHF ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Vorrätig: 2.812

Stückpreis : 0,63000 €

Datenblatt

Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3J140TU,LXHF
DigiKey-Teilenr.	264-SSM3J140TULXHFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-SSM3J140TULXHFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-SSM3J140TULXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J140TU,LXHF
Beschreibung	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 4,4 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage UFM
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25,8mOhm bei 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	+6V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	UFM
Gehäuse / Hülle	3-SMD, flache Anschlüsse