STW35N60DM2 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

STW37N60DM2AG
STMicroelectronics
Vorrätig: 600
Stückpreis : 5,57000 $
Datenblatt

Ähnlich

IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 $
Datenblatt

Ähnlich

IXFH34N65X2
IXYS
Vorrätig: 103
Stückpreis : 9,40000 $
Datenblatt

Ähnlich

IXFR64N60Q3
IXYS
Vorrätig: 30
Stückpreis : 39,15000 $
Datenblatt

Ähnlich

IXFX44N60
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 16,39663 $
Datenblatt

Ähnlich

IXFX48N60P
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 10,47827 $

Ähnlich

IXFX48N60Q3
IXYS
Vorrätig: 38
Stückpreis : 28,51000 $
Datenblatt

Ähnlich

IXFX52N60Q2
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 15,33733 $
Datenblatt

Ähnlich

IXKH30N60C5
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,50867 $

Ähnlich

IXKH35N60C5
IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 $
Datenblatt

Ähnlich

IXTH34N65X2
IXYS
Vorrätig: 207
Stückpreis : 7,77000 $
Datenblatt

Ähnlich

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 295
Stückpreis : 11,46000 $
Datenblatt

Ähnlich

TSM60NE084PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 275
Stückpreis : 10,11000 $
Datenblatt
Alle Ersatzkomponenten anzeigen und vergleichen
TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-247-3

STW35N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-STW35N60DM2-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STW35N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW35N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW35
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,23000 $5,23 $
302,63667 $79,10 $
1202,21850 $266,22 $
5102,20606 $1.125,09 $
1.0202,10787 $2.150,03 $
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:6,22370 $