STW35N60DM2 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


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Vorrätig: 600
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Datenblatt

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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 38
Stückpreis : 24,62000 €
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
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Vorrätig: 203
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Vorrätig: 295
Stückpreis : 9,90000 €
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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 275
Stückpreis : 8,73000 €
Datenblatt
TO-247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-247-3

STW35N60DM2

DigiKey-Teilenr.
497-STW35N60DM2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW35N60DM2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW35N60DM2 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 14A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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14,79000 €4,79 €
302,70400 €81,12 €
1202,24325 €269,19 €
5101,90537 €971,74 €
1.0201,82057 €1.856,98 €
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