

STP35N60DM2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16359-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP35N60DM2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 28A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 28 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP35N60DM2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 110mOhm bei 14A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 54 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2400 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 210W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,01000 € | 4,01 € |
| 50 | 2,06580 € | 103,29 € |
| 100 | 1,87840 € | 187,84 € |
| 500 | 1,55034 € | 775,17 € |
| 1.000 | 1,44497 € | 1.444,97 € |
| 2.000 | 1,43049 € | 2.860,98 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,01000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,77190 € |

