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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
STP33N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15560-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP33N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 24A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP33N65M2 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 140mOhm bei 12A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 41.5 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1790 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 190W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 999
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,16000 € | 4,16 € |
| 50 | 2,14200 € | 107,10 € |
| 100 | 1,94700 € | 194,70 € |
| 500 | 1,60538 € | 802,69 € |
| 1.000 | 1,49570 € | 1.495,70 € |
| 2.000 | 1,40352 € | 2.807,04 € |
| 5.000 | 1,37890 € | 6.894,50 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,16000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,95040 € |
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