
STP18N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15557-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP18N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP18N65M2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 330mOhm bei 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 770 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,81000 € | 2,81 € |
| 50 | 1,40200 € | 70,10 € |
| 100 | 1,26600 € | 126,60 € |
| 500 | 1,02774 € | 513,87 € |
| 1.000 | 0,95117 € | 951,17 € |
| 2.000 | 0,88682 € | 1.773,64 € |
| 5.000 | 0,88054 € | 4.402,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,81000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,34390 € |

