N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP16N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-8788-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP16N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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STP16N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1250 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
299mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,48000 €3,48 €
501,76600 €88,30 €
1001,59990 €159,99 €
5001,30866 €654,33 €
1.0001,21510 €1.215,10 €
2.0001,13646 €2.272,92 €
5.0001,08490 €5.424,50 €
Standardverpackung des Herstellers
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