N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP15N60M2-EP

DigiKey-Teilenr.
497-15891-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP15N60M2-EP
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP15N60M2-EP Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
590 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
378mOhm bei 5,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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