N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP10NM60N

DigiKey-Teilenr.
497-9098-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP10NM60N
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 70W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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STP10NM60N Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
540 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm bei 4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,44000 €3,44 €
501,74660 €87,33 €
1001,58190 €158,19 €
5001,29330 €646,65 €
1.0001,20059 €1.200,59 €
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5.0001,06990 €5.349,50 €
Standardverpackung des Herstellers
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