
STP10N60M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-13970-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STP10N60M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 14 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 7,5 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STP10N60M2 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 13.5 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±25V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 400 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 85W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 1,74000 € | 1,74 € |
| 50 | 0,84220 € | 42,11 € |
| 100 | 0,75400 € | 75,40 € |
| 500 | 0,59910 € | 299,55 € |
| 1.000 | 0,54929 € | 549,29 € |
| 2.000 | 0,50740 € | 1.014,80 € |
| 5.000 | 0,46208 € | 2.310,40 € |
| 10.000 | 0,46078 € | 4.607,80 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 1,74000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,07060 € |










