Name: SCTWA90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA90N65G2V-ND
Price: 29.0122 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTWA90N65G2V
DigiKey-Teilenr.	497-SCTWA90N65G2V-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTWA90N65G2V
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 119 A (Tc) 565W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 lange Anschlüsse
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTWA90N65G2V Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	119 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3380 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	565W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 lange Anschlüsse
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SCTWA90

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30	15,79467 €	473,84 €
120	15,11475 €	1.813,77 €

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