Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 18.0404 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTWA60N120G2-4
DigiKey-Teilenr.	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCTWA60N120G2-4
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCTWA60N120G2-4 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1969 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	388W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 231

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Verfügbar bis: 15.02.2026

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	15,16000 €	15,16 €
10	12,05000 €	120,50 €
30	11,14200 €	334,26 €
120	10,33075 €	1.239,69 €
270	9,98370 €	2.695,60 €
510	9,76176 €	4.978,50 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.