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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCT50N120 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-16598-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCT50N120 |
Beschreibung | SICFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 318W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™ |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SCT50N120 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nur verfügbar bis | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 69mOhm bei 40A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 122 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +25V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1900 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 318W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 200°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | HiP247™ | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 295
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Verfügbar bis: 15.02.2026
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 23,53000 € | 23,53 € |
| 30 | 15,20233 € | 456,07 € |
| 120 | 14,47542 € | 1.737,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 23,53000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 28,00070 € |
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