Name: SCT20N120H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT20N120HTR-ND
Price: 9.52 EUR
Availability: OutOfStock

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SCT20N120H
DigiKey-Teilenr.	497-SCT20N120HTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SCT20N120HCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT20N120H
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 175W (Tc) Oberflächenmontage H2PAK-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SCT20N120H Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	290mOhm bei 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	650 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	175W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	H2PAK-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SCT20