TO-247-3 HiP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT10N120

DigiKey-Teilenr.
497-16597-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT10N120
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 12 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SCT10N120 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
690mOhm bei 6A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
290 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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