Name: S2M0160120J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0160120J-ND
Price: 6.5212 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S2M0160120J
DigiKey-Teilenr.	1655-S2M0160120J-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S2M0160120J
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 16 A (Tc) 122W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SMC Diode Solutions
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	196mOhm bei 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26.5 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	513 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	122W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 296

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,48000 €	5,48 €
10	3,68700 €	36,87 €
100	2,66640 €	266,64 €
500	2,23146 €	1.115,73 €
1.000	2,18019 €	2.180,19 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.